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功率元件温升试验机，核心是解决一个测量精度问题：功率器件真正怕热的是芯片结温，但你能直接测到的通常是壳温，两者差20-30℃，这个差距就是设计裕量被浪费的地方。
IGBT模块 datasheet 上写的最高结温150℃，是指芯片内部PN结的温度。你用热电偶贴在壳上，测到壳温100℃，以为还有50℃裕量，实际结温可能已经130℃了。这20-30℃的温差来自芯片到外壳的热阻，不同封装、不同散热条件，热阻值不同。如果你按壳温设计散热器，要么 oversized 浪费成本，要么 undersized 导致芯片过热。
这台设备提供两种测量方案。第一种是瞬态热阻法：给IGBT加一个加热电流，持续几十毫秒，然后切换到小电流测量Vce(sat)，利用PN结正向压降和温度的线性关系，推算结温。这种方法测的是真正的结温，不是壳温。第二种是稳态法：在壳温、散热器温度已知的情况下，通过热阻网络计算结温。设备同时测量壳温、散热器温度、环境温度，自动计算结温。
电流输出能力是关键。IGBT的导通损耗和电流平方成正比，大电流下温升才明显。设备支持0-600A连续可调，脉冲电流可达1000A（占空比限制）。对于小功率MOSFET，也可以切换到0-50A小电流档，分辨率0.01A。
散热条件可调。设备配备风冷、水冷两种散热接口，可以模拟客户实际应用中的散热条件。有一个做光伏逆变器的客户，IGBT在实验室风冷条件下壳温85℃，到现场水冷条件下壳温降到60℃，但结温只降了10℃，因为水冷降低了壳到散热器的热阻，但芯片到壳的热阻没变。用我们的设备分别模拟两种散热条件，帮他算清了真正的热阻分布，优化了芯片选型。
符合JEDEC JESD51-1《集成电路热测量方法 第1部分：电气测试方法（单半导体器件）》、IEC 60747-9《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》中关于热阻和温升的测试要求。不是简单的"加热-测温"，是完整的"热特性表征"系统。
广州智品汇电子科技懂的是：功率器件的热设计，差10℃就是一代产品的差距。
